[发明专利]一种电荷补偿结构半导体晶片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210296739.2 | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103633116A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 发明公开了一种电荷补偿结构半导体晶片，在半导体漂移层中引入了条状浮空的电荷补偿结构，通过两次或三次刻蚀外延工艺，形成在垂直方向上具有较大高宽比的电荷补偿结构，提高了晶片反向阻断特性；本发明还提供了一种电荷补偿结构半导体晶片的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 补偿 结构 半导体 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电荷补偿结构半导体晶片，其特征在于：包括：第一漂移层，为条状第一导电类型半导体材料与条状第二导电类型半导体材料交替排列构成；中间层，位于第一漂移层之上，为第一导电类型半导体材料构成；第二漂移层，位于中间层之上，为条状第一导电类型半导体材料与条状第二导电类型半导体材料交替排列构成。
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