[发明专利]一种电荷补偿结构半导体晶片及其制备方法

权利要求书

1.一种电荷补偿结构半导体晶片，其特征在于：包括：

第一漂移层，为条状第一导电类型半导体材料与条状第二导电类型半导体材料交替排列构成；

中间层，位于第一漂移层之上，为第一导电类型半导体材料构成；

第二漂移层，位于中间层之上，为条状第一导电类型半导体材料与条状第二导电类型半导体材料交替排列构成。 

2.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的第一漂移层可以位于衬底层之上，衬底层杂质掺杂浓度大于等于1E17cm^-3。

3.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的第一漂移层和第二漂移层中的条状第一导电类型半导体材料构成与条状第二导电类型半导体材料侧壁之间可以有绝缘层隔离。

4.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的第一漂移层和第二漂移层中的条状第二导电类型半导体材料可以包裹绝缘材料。

5.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的中间层中的第一导电类型半导体材料的杂质掺杂浓度与第一漂移层和第二漂移层中第一导电类型半导体材料的杂质掺杂浓度相同。

6.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的中间层、第一漂移层和第二漂移层中半导体材料的杂质掺杂浓度小于等于1E17cm^-3。

7.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的第一漂移层和第二漂移层中的条状第二导电类型半导体材料可以具有不相同的宽度和高度。

8.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的漂移层中的条状第二导电类型半导体材料高宽比都大于等于5。

9.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的第二漂移层表面可以设置有第二中间层和第三漂移层。

10.如权利要求1所述的一种电荷补偿结构半导体晶片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）在衬底层表面形成第一导电类型半导体材料外延层；

2）在外延层中形成多个沟槽；

3）通过外延层生长形成第二导电类型半导体材料外延层，对表面进行平整化处理；

4）再次进行第一导电类型半导体材料外延，在表面形成多个沟槽，在沟槽内外延生长第二导电类型半导体材料，进行表面平整化工艺。