[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种具有利于源漏外延的STI结构的晶体管制造方法。在形成STI结构的过程中，增加了第一间隙壁，由于第一间隙壁的存在，第一间隙壁正下方的与STI结构侧面相接的半导体衬底材料在源漏区域凹槽刻蚀的过程中得以保留，这使源漏区域凹槽的侧面和底面均为半导体衬底材料，有利于随后的源漏外延生长，可以获得足够的源漏材料，一方面可以向沟道提供期望的应力，另一方面，在形成硅化物源漏接触的工艺中，也不会由于源漏材料被消耗而使硅化物与衬底相连并导致泄漏电流增加，从而确保了晶体管的性能。

主权项

一种半导体器件制造方法，用于制造具有利于源漏外延的STI结构的晶体管，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次衬垫氧化硅层和衬垫氮化硅层；图案化所述衬垫氮化硅层和衬垫氧化硅层，形成开口；全面性沉积第一间隙壁材料层；各向异性地刻蚀所述第一间隙壁材料层，仅残留位于所述开口中所述衬垫氧化硅层和衬垫氮化硅层侧壁上的所述第一间隙壁材料层，从而形成第一间隙壁；以所述衬垫氮化硅层和所述第一间隙壁为掩模，对所述开口暴露出的所述半导体衬底进行各向异性的自对准刻蚀，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽中填充介电材料，形成STI结构。