[发明专利]一种环形炉用SiC-Si3N4质高温陶瓷炉底板及其制备方法

摘要

本发明涉及一种环形炉用SiC-Si3N4质高温陶瓷炉底板及其制备方法，以总重量份100份计称取25~75份Si粉，余量为SiC粉；加入3~8份烧结助剂和4~9份结合剂；所述烧结助剂为Y2O3、或Y2O3和Al2O3的混合物；经混料、成型、烧结、渗渍硅处理和机械加工制得环形炉用SiC-Si3N4质高温陶瓷炉底板。该制备方法工艺简单、成本低，所得产品具有耐高温、抗蠕变性能好、高温强度大、抗热震性好等特点，能满足环形炉生产的工况要求，能够有效地解决金属炉底板的耐高温性能差、材料的高温蠕变率大而造成炉底板弯曲变形、材料的热膨胀率大而造成炉底板开裂损坏及使用寿命较低问题。

主权项

一种环形炉用SiC‑Si3N4质高温陶瓷炉底板的制备方法，其特征在于步骤如下：(1)配料：以总重量份100份计称取25~75份Si粉，余量为SiC粉；加入3~8份烧结助剂和4~9份结合剂；所述烧结助剂为Y2O3、或Y2O3和Al2O3的混合物；所述结合剂选自酚醛树脂、硅溶胶或水玻璃；(2)混料：将步骤(1)中的配料加入混碾机中混合碾制成泥料；(3)成型：将步骤(2)的泥料装入模具中成型制成炉底板板坯；(4)烧结：将所述板坯先在氮气气氛和在1270~1430℃条件下保温1~30h，再在氮气气氛下继续升温到1450℃~1700℃，保温3~12h，制得氮化烧结坯；(5)渗渍硅处理：将所述氮化烧结坯在温度为1700~1850℃和真空度小于100Pa的条件下进行渗渍硅处理，处理时间为2~20小时，制得SiC‑Si3N4质高温陶瓷炉底板毛坯；(6)将毛坯进行机械加工处理，制得环形炉用SiC‑Si3N4质高温陶瓷炉底板。