[发明专利]一种环形炉用SiC-Si3N4质高温陶瓷炉底板及其制备方法

权利要求书

1.一种环形炉用SiC-Si₃N₄质高温陶瓷炉底板的制备方法，其特征在于步骤如下：

(1)配料：以总重量份100份计称取25~75份Si粉，余量为SiC粉；加入3~8份烧结助剂和4~9份结合剂；所述烧结助剂为Y₂O₃、或Y₂O₃和Al₂O₃的混合物；所述结合剂选自酚醛树脂、硅溶胶或水玻璃；

(2)混料：将步骤(1)中的配料加入混碾机中混合碾制成泥料；

(3)成型：将步骤(2)的泥料装入模具中成型制成炉底板板坯；

(4)烧结：将所述板坯先在氮气气氛和在1270~1430℃条件下保温1~30h，再在氮气气氛下继续升温到1450℃~1700℃，保温3~12h，制得氮化烧结坯；

(5)渗渍硅处理：将所述氮化烧结坯在温度为1700~1850℃和真空度小于100Pa的条件下进行渗渍硅处理，处理时间为2~20小时，制得SiC-Si₃N₄质高温陶瓷炉底板毛坯；

(6)将毛坯进行机械加工处理，制得环形炉用SiC-Si₃N₄质高温陶瓷炉底板。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的Si粉的纯度为≥95wt%，粒度小于0.1mm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的SiC粉的纯度为≥90wt%，粒度小于5mm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的Y₂O₃的纯度≥95wt%，Al₂O₃的纯度≥95wt%；Y₂O₃或Al₂O₃的粒度小于0.01mm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的成型方法是捣打成型或振动成型。

6.根据权利要求1~5项中任一项权利要求所述的制备方法制备得到的环形炉用SiC-Si₃N₄质高温陶瓷炉底板。