[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210295888.7 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103178113A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 朴在勋;徐东秀 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制造方法，能够通过在电极与栅极的突起区域的侧面之间形成电容并增加栅源的电容来消除短路现象。该半导体器件可包括：半导体本体，具有预定的体积；源极，形成在半导体本体的上表面上；栅极，形成在半导体本体的沟槽中，并具有从半导体本体的上表面向上突起的突起区域，该沟槽其具有预定的深度并且该突起区域具有根据要设置的电容的水平而改变的突起高度；以及电极，电连接至源极，以与栅极的突起区域的侧面一起形成电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体本体，具有预定的体积；源极，形成在所述半导体本体的上表面上；栅极，形成在所述半导体本体的沟槽中，并具有从所述半导体本体的上表面向上突起的突起区域，所述沟槽具有预定的深度，并且所述突起区域具有根据要设置的电容水平而改变的突起高度；以及电极，电连接至所述源极，以与所述栅极的突起区域的侧面一起形成电容。
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