[发明专利]探测光子能量低于禁带宽度的近红外光的探测器的制备方法

摘要

本发明涉及一种可以探测光子能量低于禁带宽度的近红外光的探测器结构的制备方法，首先在ITO衬底表面生长CdS纳米棒阵列；其次在CdS纳米棒阵列蒸镀纳米金；然后在纳米金表面蒸镀一层ITO作为顶电极；最后将金属材料在纳米尺度下独有的表面等离激元非辐射衰变时光生电效应及颗粒之间的近场耦合增强效应应用于近红外光的高效探测。本发明结构简单、操作便利，能够实现对入射光波长的选择性探测，无需制冷，应用前景广阔。

主权项

探测光子能量低于禁带宽度的近红外光的探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在衬底表面合成CdS纳米棒阵列；（2）在生长好的CdS纳米棒阵列上面先甩一层PMMA膜作为绝缘层，然后再用氧等离子刻蚀使其CdS纳米棒的顶部露出；     （3）在露出的CdS纳米棒阵列表面蒸镀纳米金；（4）在纳米金表面蒸镀一层透明导电的ITO作为顶电极，便于电信号的收集；（5）把探针分别置于顶层ITO和基底ITO即可以对近红外光进行电信号的测量。