[发明专利]探测光子能量低于禁带宽度的近红外光的探测器的制备方法

权利要求书

1.探测光子能量低于禁带宽度的近红外光的探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）在衬底表面合成CdS纳米棒阵列；

（2）在生长好的CdS纳米棒阵列上面先甩一层PMMA膜作为绝缘层，然后再用氧等离子刻蚀使其CdS纳米棒的顶部露出； 

    （3）在露出的CdS纳米棒阵列表面蒸镀纳米金；

（4）在纳米金表面蒸镀一层透明导电的ITO作为顶电极，便于电信号的收集；

（5）把探针分别置于顶层ITO和基底ITO即可以对近红外光进行电信号的测量。

2.根据权利要求1所述的探测光子能量低于禁带宽度的近红外光的探测器的制备方法，其特征在于步骤（1）的衬底采用导电衬底ITO玻璃衬底或金衬底或者以硅基材料。

3.根据权利要求1所述的探测光子能量低于禁带宽度的近红外光的探测器的制备方法，其特征在于步骤（2）的PMMA层的厚度要与CdS纳米棒的高度一致。

4.根据权利要求1所述的探测光子能量低于禁带宽度的近红外光的探测器的制备方法，其特征在于步骤（4）的纳米金尺寸为20-100 nm。