[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210293347.0 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103594512A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 马小龙;殷华湘;许淼;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个鳍片，其中鳍片沿第一方向延伸并且具有类菱形截面；在每个鳍片上形成栅极堆叠结构，栅极堆叠结构横跨多个鳍片并且沿第二方向延伸；其中，每个鳍片中位于栅极堆叠结构下方的部分构成器件的沟道区，每个鳍片中位于栅极堆叠结构沿第一方向的两侧的部分构成源漏区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用类菱形鳍片提高了栅控能力以有效抑制短沟道效应，此外利用外延量子阱更好地限制载流子、提高了器件驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底上的多个鳍片，鳍片沿第一方向延伸，并且具有类菱形截面；栅极堆叠结构，横跨每个鳍片，沿第二方向延伸；沟道区，位于每个鳍片中栅极堆叠结构下方；源漏区，位于每个鳍片中栅极堆叠结构两侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210293347.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：单根拎手绳安装机构及安装方法
- 下一篇：一种提高石墨舟处理效果的方法
- 同类专利
- 专利分类
