[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底上的多个鳍片，鳍片沿第一方向延伸，并且具有类菱形截面；

栅极堆叠结构，横跨每个鳍片，沿第二方向延伸；

沟道区，位于每个鳍片中栅极堆叠结构下方；

源漏区，位于每个鳍片中栅极堆叠结构两侧。

2.如权利要求1的半导体器件，其中，鳍片与栅极堆叠结构之间还包括量子阱层。

3.如权利要求2的半导体器件，其中，量子阱层包括SiGe合金。

4.如权利要求1的半导体器件，其中，栅极堆叠结构包括高k材料的栅极绝缘层和金属材料的栅极导电层。

5.如权利要求1的半导体器件，其中，每个鳍片上栅极堆叠结构两侧还包括抬升源漏区。

6.如权利要求1的半导体器件，其中，衬底为SOI，鳍片包括Si。

7.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成多个鳍片，其中鳍片沿第一方向延伸并且具有类菱形截面；

在每个鳍片上形成栅极堆叠结构，栅极堆叠结构横跨多个鳍片并且沿第二方向延伸；

其中，每个鳍片中位于栅极堆叠结构下方的部分构成器件的沟道区，每个鳍片中位于栅极堆叠结构沿第一方向的两侧的部分构成源漏区。

8.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，形成多个鳍片的步骤进一步包括：

在衬底上形成多个鳍片，其中鳍片沿第一方向延伸并且具有矩形截面；

在每个鳍片上形成外延层；

刻蚀外延层和鳍片，形成具有类菱形截面的鳍片。

9.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，采用KOH或TMAH湿法腐蚀鳍片。

10.如权利要求7或8的半导体器件制造方法，其中，类菱形截面的鳍片的中部宽度大于底部宽度，顶部为锐角。

11.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，形成具有类菱形截面的鳍片之后、形成栅极堆叠结构之前，还包括在鳍片上形成量子阱层。

12.如权利要求11的半导体器件制造方法，其中，量子阱层包括SiGe合金。

13.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，栅极堆叠结构包括高k材料的栅极绝缘层以及金属材料的栅极导电层。

14.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，形成栅极堆叠结构之后，还包括：在栅极堆叠结构两侧形成栅极侧墙和抬升源漏区。

15.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，衬底为SOI，鳍片包括Si。

16.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，形成具有类菱形截面的鳍片之后，进一步对鳍片的角部进行圆润化处理。