[发明专利]一种H半桥驱动电路

摘要

本发明公开了一种H半桥驱动电路，具体包括：一电流偏置模块、一高压可控开关、一高压二极管组件、一死区时间调节模块、一电平位移模块、一反相器、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管。本发明的H半桥驱动电路采用一高压二极管组件来钳位控制H桥臂上PMOS管即第一PMOS管的过驱动电压，针对不同阻抗的负载，通过调节串联高压二极管组件中二极管的个数，从而比较方便地实现对H桥驱动电流的控制调节。本发明采用一恒流源对一电容元件充电升压，产生较为精确的延时，从而实现对死区时间的精确调节。

主权项

一种H半桥驱动电路，具体包括：一电流偏置模块、一高压可控开关、一高压二极管组件、一死区时间调节模块、一电平位移模块、一反相器、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管，其中，所述电平位移模块的输入端、反相器的输入端和死区时间调节模块的输入端连接在一起作为所述H半桥驱动电路的控制端；所述高压二极管组件的正极端接外部的高压直流电源，所述高压二极管组件的负极端接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极接所述反相器的输出端，所述第二NMOS管的源极接所述电流偏置模块的第一输出端，所述电流偏置模块的第二输出端接所述电平位移模块的电流偏置端，所述高压可控开关的第一端接外部的高压直流电源，所述高压可控开关的第二端接第二NMOS管的漏极，所述高压可控开关的控制端接所述电平位移模块的输出端，所述电平位移模块的电压偏置端接外部的高压直流电源，所述第一PMOS管的源极接外部的高压直流电源，所述第一PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极，所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连接并作为所述H半桥驱动电路的输出端，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极接所述死区时间调节模块的输出端。