[发明专利]一种H半桥驱动电路

权利要求书

1.一种H半桥驱动电路，具体包括：一电流偏置模块、一高压可控开关、一高压二极管组件、一死区时间调节模块、一电平位移模块、一反相器、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管，其中，

所述电平位移模块的输入端、反相器的输入端和死区时间调节模块的输入端连接在一起作为所述H半桥驱动电路的控制端；

所述高压二极管组件的正极端接外部的高压直流电源，所述高压二极管组件的负极端接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极接所述反相器的输出端，所述第二NMOS管的源极接所述电流偏置模块的第一输出端，所述电流偏置模块的第二输出端接所述电平位移模块的电流偏置端，所述高压可控开关的第一端接外部的高压直流电源，所述高压可控开关的第二端接第二NMOS管的漏极，所述高压可控开关的控制端接所述电平位移模块的输出端，所述电平位移模块的电压偏置端接外部的高压直流电源，所述第一PMOS管的源极接外部的高压直流电源，所述第一PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极，所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连接并作为所述H半桥驱动电路的输出端，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极接所述死区时间调节模块的输出端。

2.根据权利要求1所述的H半桥驱动电路，其特征在于，所述死区时间调节模块电路包括：一恒流源、第一可控开关、第二可控开关、一电容元件、第一反相器、第二反相器，其中，

所述恒流源的第一端接外部的低压直流电源，所述恒流源的第二端接所述第一可控开关的第一端，所述第一可控开关的第二端接所述第二可控开关的第一端、所述电容元件的第一端以及所述第一反相器的输入端，所述第二可控开关的第二端接地，所述电容元件的第二端接地，所述第一反相器的输出端接所述的第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端作为所述死区时间调节模块的输出端，所述第一可控开关的控制端和第二可控开关的控制端连接在一起并作为所述死区时间调节模块的输入端。

3.根据权利要求1所述的H半桥驱动电路，其特征在于，所述的高压可控开关通过一PMOS管实现，具体的，所述PMOS管的源极作为高压可控开关的第一端，漏极作为高压可控开关的第二端，栅极作为高压可控开关的控制端。

4.根据权利要求1或3所述的H半桥驱动电路，其特征在于，所述的高压二极管组件由均是二极管接法的两个PMOS管串接而成；具体的，第一个PMOS管的源极作为所述高压二极管组件的正极端，第一个PMOS管的栅极和漏极与第二个PMOS管的源极相连接，第二个PMOS管的栅极和漏极相连接作为所述高压二极管组件的负极端。

5.根据权利要求2所述的H半桥驱动电路，其特征在于，第一可控开关具体为一NMOS管，所述NMOS管的漏极作为第一可控开关的第一端，所述NMOS管的源极作为第一可控开关的第二端，所述NMOS管的栅极作为第一可控开关的控制端。

6.根据权利要求2或5所述的H半桥驱动电路，其特征在于，第二可控开关具体为一PMOS管，所述PMOS管的源极作为第二可控开关的第一端，所述PMOS管的漏极作为第二可控开关的第二端，所述PMOS管的栅极作为第二可控开关的控制端。