[发明专利]金属氯化物气体发生装置、氢化物气相生长装置和氮化物半导体模板

摘要

本发明提供抑制了不希望的杂质的混入的金属氯化物气体发生装置、氢化物气相生长装置、和氮化物半导体模板。作为金属氯化物气体发生装置的HVPE装置具有：筒状的反应炉，其在上游侧具有收容Ga（金属）的槽（收容部），在下游侧具有配置生长用的基板的生长部；透光性的气体导入管，其按照从具有气体导入口的上游侧端部起经由槽到达生长部的方式配置，从上游侧端部导入气体，供给至槽，并将气体与槽内的Ga反应而生成的金属氯化物气体供给至生长部；隔热板，其配置在反应炉内，对气体导入管的上游侧端部侧和生长部侧进行热阻断，气体导入管具有在上游侧端部与隔热板之间弯曲的构造。

主权项

一种金属氯化物气体发生装置，其具有：筒状的反应炉，其在上游侧具有收容金属的收容部，在下游侧具有配置生长用的基板的生长部；透光性的气体导入管，其按照从具有气体导入口的上游侧端部起经由所述收容部到达所述生长部的方式配置，从所述上游侧端部导入气体，供给至所述收容部，并将所述气体与所述收容部内的所述金属反应而生成的金属氯化物气体供给至所述生长部；隔热板，其配置在所述反应炉内，对所述气体导入管的所述上游侧端部侧和所述生长部侧进行热阻断，所述气体导入管具有在所述上游侧端部与所述隔热板之间弯曲的构造。