[发明专利]金属氯化物气体发生装置、氢化物气相生长装置和氮化物半导体模板

权利要求书

1.一种金属氯化物气体发生装置，其具有：筒状的反应炉，其在上游侧具有收容金属的收容部，在下游侧具有配置生长用的基板的生长部；透光性的气体导入管，其按照从具有气体导入口的上游侧端部起经由所述收容部到达所述生长部的方式配置，从所述上游侧端部导入气体，供给至所述收容部，并将所述气体与所述收容部内的所述金属反应而生成的金属氯化物气体供给至所述生长部；隔热板，其配置在所述反应炉内，对所述气体导入管的所述上游侧端部侧和所述生长部侧进行热阻断，

所述气体导入管具有在所述上游侧端部与所述隔热板之间弯曲的构造。

2.根据权利要求1所述的金属氯化物气体发生装置，其中，所述气体导入管由所述气体导入口导入氯化物气体。

3.根据权利要求1或2所述的金属氯化物气体发生装置，其中，所述隔热板由碳或石英形成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的金属氯化物气体发生装置，其中，所述上游侧端部由金属形成。

5.一种氢化物气相生长装置，其具备权利要求1～4中任一项所述的金属氯化物气体发生装置。

6.根据权利要求5所述的氢化物气相生长装置，其中，所述金属氯化物气体发生装置所具有的所述气体导入管由石英形成。

7.一种氮化物半导体模板，其为具有基板和含氯的氮化物半导体层的氮化物半导体模板，所述含氯的氮化物半导体层中铁浓度小于1×1017cm-3。

8.根据权利要求7所述的氮化物半导体模板，其中，X射线衍射（XRD）的（0004)面的半值宽度（FWHM）为200秒以上300秒以下。

9.根据权利要求7或8所述的氮化物半导体模板，其中，具备以Si浓度为5×10¹⁸cm^-3～5×10¹⁹cm^-3的范围掺杂有Si的Si掺杂GaN层。