[发明专利]低正向压降快恢复时间的功率二极管及制造方法

摘要

发明公开了一种具有低正向压降快恢复时间的功率二极管，是在传统MOSFET的体区与外延之间内置肖特基二极管，将MOSFET正面的源极和栅极用表面金属直接短接形成器件的阳极，背面是器件的阴极。器件开启时，MOS器件导通，此时器件自身的PN结二极管和集成的肖特基二极管都未开启，器件的正向电流将沿着MOS的沟道流到阴极；器件关断时，MOS结构表面的导电沟道消失，N型外延内的载流子将通过肖特基结形成的耗尽层抽走，由于肖特基结相对于PN结有更快的恢复时间，此器件N型外延内的载流子会比传统PN结器件消失得更快，即可形成低正向导通压降和快关断时间的半导体器件。本发明还公开了所述具有低正向压降快恢复时间的功率二极管的制造方法。

主权项

一种低正向压降快恢复时间的功率二极管，其特征在于：N型外延层具有正面金属及背面金属；在所述N型外延层的背面淀积有金属作为低正向压降快恢复时间的功率二极管的阴极；在N型外延层中，具有沟槽，沟槽内壁附着栅氧化层并填充满多晶硅，N型外延层上部具有体区，N型外延层的正面的表层具有重掺杂的P型区，沟槽内的多晶硅具有填充有金属的接触孔将栅极引出，沟槽之间也具有填充有金属的接触孔，连接到N型外延层中与N型外延层形成肖特基二极管；所述N型外延层的正面淀积正面金属层，沟槽内的接触孔与构成肖特基二极管的接触孔连接到正面金属层形成所述功率二极管的阳极。