[发明专利]RF LDMOS器件及制造方法有效
| 申请号： | 201210287206.8 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050532A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李娟娟;钱文生;韩峰;慈朋亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RF LDMOS器件，其结构是，漏端N型轻掺杂区为横向非均匀N掺杂，靠近多晶硅栅的一边有一掺杂浓度相对较高并且深度比漏端N型轻掺杂区深的N型中掺杂区，而靠近漏端的区域掺杂浓度相对较低，通过对漏端N型轻掺杂区横向掺杂浓度的调节，在保证器件具有较高击穿电压的同时，有效地降低了器件的导通电阻。本发明还公开了该种RF LDMOS器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | rf ldmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种RF LDMOS器件，其特征在于，在P外延的左部形成有一P阱，右部形成有一漏端N型轻掺杂区，所述P阱与所述漏端N型轻掺杂区不接触；所述P阱上部形成有一源端N型重掺杂区；所述漏端N型轻掺杂区的右部形成有一漏端N型重掺杂区；所述漏端N型轻掺杂区的左部形成有一N型中掺杂区，N型中掺杂区的深度大于所述漏端N型轻掺杂区的深度；所述漏端N型重掺杂区同所述N型中掺杂区不接触；N型中掺杂区的N型杂质浓度，小于N型重掺杂区的N型杂质浓度，并且大于等于N型轻掺杂区的N型杂质浓度；所述源端N型重掺杂区右侧的P阱上方，及所述P阱与所述漏端N型轻掺杂区之间的P外延上方，形成有栅氧；所述栅氧上方形成有多晶硅栅；所述多晶硅栅及所述N型中掺杂区左部上方，形成有氧化层。
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