[发明专利]RF LDMOS器件及制造方法

权利要求书

1.一种RF LDMOS器件，其特征在于，在P外延的左部形成有一P阱，右部形成有一漏端N型轻掺杂区，所述P阱与所述漏端N型轻掺杂区不接触；

所述P阱上部形成有一源端N型重掺杂区；

所述漏端N型轻掺杂区的右部形成有一漏端N型重掺杂区；

所述漏端N型轻掺杂区的左部形成有一N型中掺杂区，N型中掺杂区的深度大于所述漏端N型轻掺杂区的深度；

所述漏端N型重掺杂区同所述N型中掺杂区不接触；

N型中掺杂区的N型杂质浓度，小于N型重掺杂区的N型杂质浓度，并且大于等于N型轻掺杂区的N型杂质浓度；

所述源端N型重掺杂区右侧的P阱上方，及所述P阱与所述漏端N型轻掺杂区之间的P外延上方，形成有栅氧；

所述栅氧上方形成有多晶硅栅；

所述多晶硅栅及所述N型中掺杂区左部上方，形成有氧化层。

2.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

所述N型中掺杂区的左侧到所述多晶硅栅右侧的距离大于等于0.1um，N型中掺杂区比所述漏端N型轻掺杂区深0.1um～0.5um。

3.根据权利要求2所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

所述氧化层右部上方形成有法拉第盾，法拉第盾为一层或者多层的结构。

4.根据权利要求3所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

所述P外延形成在P衬底上；

所述P阱左侧接P型多晶硅或金属接触柱；

所述接触柱连通至P衬底。

5.根据权利要求4所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

所述源端N型重掺杂区下缘形成有源端N型轻掺杂区，源端N型轻掺杂区的N型杂质浓度小于所述N型中掺杂区的N型杂质浓度。

6.根据权利要求4或5所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

所述源端N型重掺杂区左侧的P阱上部形成有与所述P型多晶硅或金属接触柱连通的P型重掺杂区，P型重掺杂区的P型杂质浓度比P阱的P型杂质浓度高。

7.根据权利要求6所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

P型重掺杂区的杂质为硼，浓度范围1E19～1E21个原子每立方厘米；

N型杂质为磷或砷，N型重掺杂区的N型杂质浓度范围为1E19～1E21个原子每立方厘米，N型中掺杂区的N型杂质浓度范围为5E17～1E18cm个原子每立方厘米，N型轻掺杂区的N型杂质浓度范围为1E15～5E17个原子每立方厘米。

8.一种权利要求5所述的RF LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在P衬底上生长P外延；

二.在P外延中形成一P阱；

三．形成栅氧、多晶硅栅、漏端N型轻掺杂区、源端N型轻掺杂区，栅氧左部覆盖在P阱右部，栅氧右部覆盖在P外延上（改为漏端N型轻掺杂区），多晶硅栅覆盖在栅氧上，漏端N型轻掺杂区形成在多晶硅栅右侧的P外延中，源端N型轻掺杂区形成在多晶硅栅左侧的P阱中；

四.通过光刻胶定义一N型中掺杂区的位置及面积，进行第二次轻掺杂N型离子注入，然后再通过高温推进，在所述漏端N型轻掺杂区左部形成该N型中掺杂区，N型中掺杂区的深度大于所述漏端N型轻掺杂区的深度；

五.通过光刻定义出一源端N型重掺杂区的位置及面积、一漏端N型重掺杂区的位置及面积，进行N离子注入，形成该源端N型重掺杂区及该漏端N型重掺杂区；该源端N型重掺杂区位于所述源端N型轻掺杂区的右部，该漏端N型重掺杂区位于所述漏端N型轻掺杂区的右部；

通过光刻定义出一P型重掺杂区的位置及面积，进行P离子注入，形成该P型重掺杂区，该P型重掺杂区位于所述源端N型轻掺杂区的左部；

六.进行后续工艺，形成氧化层、法拉第盾及P型多晶硅或金属接触柱。