[发明专利]氮化物半导体发光器件以及制造其的方法有效
| 申请号： | 201210286901.2 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102956769A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 竹冈忠士;谷善彦;荒木和也;上田吉裕 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。该多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和具有低于势垒层的带隙能量的阱层所形成的层。V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，且V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层，其中所述多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和阱层所形成的层，该阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量，V表面坑部分地形成于所述多量子阱发光层中，且所述V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层中。
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