[发明专利]氮化物半导体发光器件以及制造其的方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层，其中

所述多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和阱层所形成的层，该阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量，

V表面坑部分地形成于所述多量子阱发光层中，且

所述V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层中。

2.一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、下部多量子阱发光层、上部多量子阱发光层和p型氮化物半导体层，其中

所述上部多量子阱发光层是通过交替堆叠上部势垒层和上部阱层所形成的层，该上部阱层的带隙能量低于所述上部势垒层的带隙能量，

所述下部多量子阱发光层是通过交替堆叠下部势垒层和下部阱层所形成的层，该下部阱层的带隙能量低于下部势垒层的带隙能量，且至少所述下部势垒层掺杂有n型杂质，

所述下部多量子阱发光层的平均n型掺杂浓度高于所述上部多量子阱发光层的平均n型掺杂浓度，

V表面坑部分地形成于所述上部多量子阱发光层中，且

所述V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层中或在所述下部多量子阱发光层中。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光器件，其中所述V表面坑产生层中的n型掺杂浓度显著高于所述n型氮化物半导体层中的最上表面中的n型掺杂浓度。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光器件，其中所述V表面坑产生层中的n型掺杂浓度大于或等于5×10¹⁸cm^-3。

5.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光器件，其中所述V表面坑产生层中的In成分比例高于所述n型氮化物半导体层的最上表面中的In成分比例。

6.根据权利要求5所述的氮化物半导体发光器件，其中

所述V表面坑产生层含有n型杂质，且

所述V表面坑产生层具有In_xGa_1-xN（0.1≤x≤0.2）的组成。

7.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光器件，其中所述V表面坑产生层的厚度大于或等于5nm。

8.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光器件，其中所述中间层的厚度大于或等于40nm。

9.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光器件，其中所述中间层是通过交替堆叠宽带隙层和窄带隙层而形成的层，该窄带隙层的带隙能量低于宽带隙层的带隙能量。

10.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中所述上部多量子阱发光层中的势垒层的数量大于或等于4。

11.一种用于制造氮化物半导体发光器件的方法，包括：

第一步骤，形成n型氮化物半导体层；

第二步骤，在所述n型氮化物半导体层上形成中间层；

第三步骤，在所述第一步骤之后且在所述第二步骤之前，停止向形成有所述n型氮化物半导体层的晶片供应源气体，并在向晶片供应显著包含H₂气体作为运载气体的气体的同时降低晶片的温度；和

第四步骤，在所述中间层上顺序形成多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。

12.根据权利要求11所述的用于制造氮化物半导体发光器件的方法，其中显著包括H₂气体的所述气体包括体积上大于或等于20%且小于或等于80%的H₂气体。

13.根据权利要求11所述的用于制造氮化物半导体发光器件的方法，其中所述第三步骤将所述晶片的温度降低了大于或等于50℃。

14.根据权利要求11所述的用于制造氮化物半导体发光器件的方法，其中通过进行所述第三步骤，在所述多量子阱发光层中部分地形成V表面坑，且所述V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层中。