[发明专利]一种硅烷法流化床生产高纯粒状多晶硅装置及工艺有效

专利信息
申请号: 201210281841.5 申请日: 2012-08-09
公开(公告)号: CN102815702A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 陈德伟;陈惠祥;郑安雄;廖敏 申请(专利权)人: 浙江中宁硅业有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 张法高
地址: 324000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种硅烷法流化床生产高纯粒状多晶硅装置及工艺。流化床反应器上部为反应器加热区,下部为反应器反应区,流化床反应器顶部设有硅晶种加入口、反应器尾气出口,流化床反应器底部设有反应气硅烷进气入口、多晶硅颗粒产品取出口,流化床反应器下部设有反应气氢气进入口;反应器尾气出口、尾气一级冷却器、尾气二级冷却器、压缩机、吸附塔、尾气分析系统顺次相连;气液分离罐入口管线、气液分离罐、气液分离罐液态硅烷出口管线、尾气一级冷却器、返回提纯系统的硅烷管线顺次相连;混合气体直接返回管线、反应器硅烷进气入口顺次相连;气液分离罐顶部设有分离后氢气出口。本发明具有投资少,能耗低,成本低,无污染排放等优势。
搜索关键词: 一种 硅烷 流化床 生产 高纯 粒状 多晶 装置 工艺
【主权项】:
一种硅烷法流化床生产高纯粒状多晶硅装置,其特征在于包括反应气氢气进入口(1)、反应气硅烷进气入口(2)、 硅晶种加入口(3)、反应器加热区(4)、反应器反应区(5)、多晶硅颗粒产品取出口(6)、反应器尾气出口(7)、尾气一级冷却器(8)、尾气二级冷却器(9)、压缩机(10)、气液分离罐入口管线(11)、气液分离罐(12)、气液分离罐氢气出口管线(13)、气液分离罐液态硅烷出口管线(14)、返回提纯系统的硅烷管线(15)、混合气体直接返回管线(16)、尾气分析系统(17)、吸附塔(18) ;流化床反应器上部为反应器加热区(4),流化床反应器下部为反应器反应区(5),流化床反应器顶部设有硅晶种加入口(3)、反应器尾气出口(7),流化床反应器底部设有反应气硅烷进气入口(2)、多晶硅颗粒产品取出口(6),流化床反应器下部设有反应气氢气进入口(1);反应器尾气出口(7)、尾气一级冷却器(8)、尾气二级冷却器(9)、压缩机(10)、吸附塔(18)、尾气分析系统(17)顺次相连;气液分离罐入口管线(11)、气液分离罐(12)、气液分离罐液态硅烷出口管线(14)、尾气一级冷却器(8)、返回提纯系统的硅烷管线(15)顺次相连;混合气体直接返回管线(16)、反应器硅烷进气入口(2)顺次相连;气液分离罐(12)顶部设有分离后氢气出口(13)。
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