[发明专利]MEMS传感器中的多层NONON膜有效
| 申请号： | 201210280768.X | 申请日： | 2012-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102951592A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;G01L9/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 各种实施例涉及一种MEMS压力传感器及其制造方法。该MEMS压力传感器包括：下电极；第一绝缘层，在所述下电极上方；第二绝缘层，在所述第一绝缘层上方，在所述第一绝缘层和第二绝缘层之间形成腔体；上电极，在所述第二绝缘层上方，其中，所述腔体的一部分在所述上电极和下电极之间；以及NONON压力膜，在所述上电极上方。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 中的 多层 nonon | ||
【主权项】：
一种MEMS压力传感器，包括：下电极；上电极，在所述下电极上方；绝缘层，在所述下电极与上电极之间，其在所述上下电极与下电极之间形成腔体；以及NONON压力膜，在所述上电极上方。
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