[发明专利]MEMS传感器中的多层NONON膜

权利要求书

1.一种MEMS压力传感器，包括：

下电极；

上电极，在所述下电极上方；

绝缘层，在所述下电极与上电极之间，其在所述上下电极与下电极之间形成腔体；以及

NONON压力膜，在所述上电极上方。

2.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，还包括金属柱塞，其密封所述腔体。

3.如权利要求2所述的MEMS压力传感器，其中，所述金属柱塞完全在所述上电极与下电极之间的区域外部。

4.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其中，所述MEMS压力传感器形成在衬底上的另一电路上。

5.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其中，所述NONON压力膜防止所述腔体和电子电路的污染。

6.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其中，所述MEMS压力传感器在锂离子电池中。

7.一种制造MEMS压力传感器的方法，包括：

在衬底上形成下电极；

在所述第一下电极上方形成牺牲层；

在所述牺牲层和所述下电极上方形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方形成上电极；

在所述上电极和所述第一绝缘层上方形成第二绝缘层；

刻蚀所述牺牲层以形成腔体；

封闭所述腔体以在所述腔体中形成真空；以及

在所述第二绝缘层和所述腔体上方生长NONON压力膜。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述上电极和下电极是铝、钨、Ti、TiN、Si、SiGe和金属硅化物中的一个。

9.如权利要求7所述的方法，其中，所述牺牲层是氧化硅。

10.如权利要求7所述的方法，其中，封闭所述腔体包括：通过使用物理气相沉积来沉积金属而以金属柱塞塞住刻蚀孔。

11.如权利要求7所述的方法，其中，使用PECVD工艺来形成所述NONON膜。

12.如权利要求7所述的方法，其中，所述MEMS压力传感器形成在所述衬底的另一电路上。

13.如权利要求7所述的方法，还包括：在所述下电极与所述牺牲层之间形成第三绝缘层。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述牺牲层是钼、铝、铬、钛或钨中的一个。

15.一种制造MEMS压力传感器的方法，包括：

在衬底上形成下电极；

在所述下电极上方形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方形成牺牲层；

在所述牺牲层上方形成上电极；

刻蚀所述牺牲层以形成腔体；

封闭所述腔体以在所述腔体中形成真空；以及

在所述第二绝缘层和所述腔体上方生长NONON压力膜。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述上电极和下电极是铝、钨、Ti、TiN、Si、SiGe和金属硅化物中的一个。

17.如权利要求15所述的方法，其中，所述牺牲层是氧化硅。

18.如权利要求15所述的方法，其中，所述牺牲层是钼、铝、铬、钛或钨中的一个。

19.如权利要求15所述的方法，其中，封闭所述腔体包括：通过使用物理气相沉积来沉积金属而以金属柱塞塞住刻蚀孔。

20.如权利要求15所述的方法，其中，使用PECVD工艺来形成所述NONON膜。

21.如权利要求15所述的方法，其中，所述MEMS压力传感器形成在所述衬底的另一电路上。

22.如权利要求15所述的方法，还包括：在所述牺牲层与所述上电极之间形成第三绝缘层。