[发明专利]一种提高石墨舟处理效果的方法在审
申请号: | 201210277304.3 | 申请日: | 2012-08-07 |
公开(公告)号: | CN103579057A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 徐杰 | 申请(专利权)人: | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314206 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种提高石墨舟处理效果的方法,其步骤是:(1)将石墨舟拆卸开来,在拆卸石墨舟螺帽时,需避免螺帽与石墨板间的摩擦,以防止石墨板表面的氟氯碳化合物处理遭到破坏;(2)将拆卸后的石墨舟零件放置于一定浓度的HF清洗槽中清洗数小时,确保零件清洗干净;(3)将酸液清洗后的石墨舟零件放入纯水中漂洗数小时,确保石墨舟零件无酸液残留;(4)将拆卸的石墨舟零件放置在一定温度范围内的烘箱中烘干数小时;(5)将烘干的石墨舟零件组装起来,并放入PECVD设备的炉管再次烘干;(6)将烘干后的石墨舟直接放入PECVD设备的炉管内预处理数小时。本发明的有益效果是增强石墨舟的处理效果,提高电池片镀膜后的膜厚、折射率的均匀性和外观品质。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 石墨 处理 效果 方法 | ||
【主权项】:
一种提高石墨舟处理效果的方法,其具体工艺步骤为:(1)将需要处理的石墨舟拆卸开来,在拆卸石墨舟螺帽时,需避免螺帽与石墨板间的摩擦,以防止石墨板表面的氟氯碳化合物处理遭到破坏;(2)将拆卸后的石墨舟零件放置于一定浓度的HF清洗槽中清洗数小时,确保零件清洗干净;(3)将酸液清洗后的石墨舟零件放入纯水中漂洗数小时,确保石墨舟零件无酸液残留;(4)将拆卸的石墨舟零件放置在一定温度范围内的烘箱中烘干数小时;(5)将烘干的石墨舟零件组装起来,并放入PECVD设备的炉管中再次烘干;(6)将烘干后的石墨舟直接放入PECVD设备的炉管内预处理数小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江鸿禧光伏科技股份有限公司,未经浙江鸿禧光伏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210277304.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造