[发明专利]半导体元件及其形成方法无效
| 申请号： | 201210275290.1 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103579337A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 叶达勋;黄惠民;简育生 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其形成方法。半导体结构形成于基板上，且包含第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管及第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管。第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管具有形成于基板上的第一栅极结构、第一源极区及第一漏极区。第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管具有形成于基板上的第二栅极结构、第二源极区及第二漏极区。第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管以第一掩模进行第一口袋布植，第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管以第二掩模进行第二口袋布植，且第二栅极结构的方向与第一栅极结构的方向不同。本发明能减缓元件非匹配性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，形成于一基板上，包含：一第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管，具有形成于该基板上的一第一栅极结构、一第一源极区、及一第一漏极区；以及一第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管，具有形成于该基板上的一第二栅极结构、一第二源极区、及一第二漏极区；其中，该第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管以一第一掩模进行一第一口袋布植，该第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管以一第二掩模进行一第二口袋布植，且该第二栅极结构的方向与该第一栅极结构的方向不同。
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