[发明专利]半导体元件及其形成方法无效
| 申请号： | 201210275290.1 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103579337A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 叶达勋;黄惠民;简育生 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体元件，形成于一基板上，包含：
一第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管，具有形成于该基板上的一第一栅极结构、一第一源极区、及一第一漏极区；以及
一第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管，具有形成于该基板上的一第二栅极结构、一第二源极区、及一第二漏极区；
其中，该第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管以一第一掩模进行一第一口袋布植，该第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管以一第二掩模进行一第二口袋布植，且该第二栅极结构的方向与该第一栅极结构的方向不同。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一栅极结构的方向与该第二栅极结构的方向实质上呈九十度。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一口袋布植施加于该第一栅极结构与该第一源极区及该第一漏极区所形成的第一沟道两端。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第二口袋布植施加于该第二栅极结构与该第二源极区及该第二漏极区所形成的第二沟道两端
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中以该第一掩模进行的该第一口袋布植所施加的角度与以该第二掩模进行的该第二口袋布植施加的角度实质上呈九十度。
6.一种于一基板上形成半导体元件的方法，包含下列步骤：
于该基板上形成一第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管，该第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管具有一第一栅极结构、一第一源极区及一第一漏极区；
于该基板上形成一第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管，该第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管具有一第二栅极结构、一第二源极区及一第二漏极区；
以一第一掩模对该第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管进行一第一口袋布植；以及
以一第二掩模对该第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管进行一第二口袋布植；
其中，该第二栅极结构的方向与该第一栅极结构的方向不同。
7.如权利要求6所述的方法，其中该第一栅极结构的方向与该第二栅极结构的方向实质上呈九十度。
8.如权利要求6所述的方法，其中该第一口袋布植施加于该第一栅极结构与该第一源极区及该第一漏极区所形成的一第一沟道两端。
9.如权利要求8所述的方法，其中该第二口袋布植施加于该第二栅极结构与该第二源极区及该第二漏极区所形成的一第二沟道两端
10.如权利要求9所述的方法，其中以该第一掩模进行的该第一口袋布植所施加的角度与以该第二掩模进行的该第二口袋布植施加的角度实质上呈九十度。
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