[发明专利]一种大规格光纤预制棒的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210271914.2 申请日: 2012-08-02
公开(公告)号: CN102757179A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 曹蓓蓓;倪先元;渠驰;罗杰 申请(专利权)人: 长飞光纤光缆有限公司
主分类号: C03B37/018 分类号: C03B37/018
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 胡建平
地址: 430073 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种大规格光纤预制棒的制备方法,步骤为:采用管内化学气相沉积法制备芯棒,所述的芯棒包括纤芯层,或纤芯层和部分内包层;以所述的芯棒作为靶棒,采用VAD法在所述的靶棒上制备SiO2疏松体,形成内包层或部分内包层;得到结构均匀的初级光纤预制棒;将初级光纤预制棒作为靶棒,用OVD法沉积SiO2外包层,沉积完成后,将其烧结成透明的光纤预制棒。本发明结合了各种沉积工艺的优点,合理避开了各工艺的缺点,实现了高沉积速率、高性能与低成本的统一。本发明不仅适于制备简单剖面的普通单模光纤,更适合制备精密复杂剖面结构的特种光纤。
搜索关键词: 一种 规格 光纤 预制 制备 方法
【主权项】:
一种大规格光纤预制棒的制备方法,其特征在于:采用管内化学气相沉积法制备芯棒,所述的芯棒包括纤芯层,或纤芯层和部分内包层;以所述的芯棒作为靶棒,采用VAD法在所述的靶棒上制备SiO2疏松体,形成内包层或部分内包层;得到结构均匀的初级光纤预制棒;将初级光纤预制棒作为靶棒,用OVD法沉积SiO2外包层,沉积完成后,将其烧结成透明的光纤预制棒。
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