[发明专利]一种大规格光纤预制棒的制备方法

权利要求书

1.一种大规格光纤预制棒的制备方法，其特征在于：

采用管内化学气相沉积法制备芯棒，所述的芯棒包括纤芯层，或纤芯层和部分内包层；

以所述的芯棒作为靶棒，采用VAD法在所述的靶棒上制备SiO₂疏松体，形成内包层或部分内包层；得到结构均匀的初级光纤预制棒；

将初级光纤预制棒作为靶棒，用OVD法沉积SiO₂外包层，沉积完成后，将其烧结成透明的光纤预制棒。

2.按权利要求1所述的大规格光纤预制棒的制备方法，其特征在于VAD法后将包覆SiO2疏松体的芯棒烧结致密得到结构均匀的初级光纤预制棒。

3.按权利要求2所述的大规格光纤预制棒的制备方法，其特征在于将所述的初级光纤预制棒进行熔融拉伸延长处理。

4.按权利要求2或3所述的大规格光纤预制棒的制备方法，其特征在于所述的初级光纤预制棒直径与所述的芯棒沉积层最大直径的比值范围是2~3.5，最终光纤预制棒的直径与所述的芯棒沉积层最大直径的比值范围是4~7。

5.按权利要求1或2所述的大规格光纤预制棒的制备方法，其特征在于所述的管内化学气相沉积法为PCVD法或MCVD法，采用低羟基高纯石英玻璃管或是掺有Ge和/或F的石英玻璃管作为衬管，所述衬管的羟基含量要求小于1000ppb，将沉积完成后的衬管于1800℃至2100℃下熔缩成实心芯棒。

6.按权利要求2或3所述的大规格光纤预制棒的制备方法，其特征在于所述的芯棒长度大于或等于1.2m。

7.按权利要求1或2所述的大规格光纤预制棒的制备方法，其特征在于所述的VAD法沉积速率为6g/min~12g/min。

8.按权利要求7所述的大规格光纤预制棒的制备方法，其特征在于所述的VAD法中VAD喷灯的灯头不动，靶棒绕轴线转动且竖直向上移动，转速为5r/min~120r/min，向上移动速率0.8mm/min~15mm/min。

9.按权利要求2或3所述的大规格光纤预制棒的制备方法，其特征在于所述的用VAD法制成的初级光纤预制棒的直径大于或等于50mm。

10.按权利要求1或2所述的大规格光纤预制棒的制备方法，其特征在于所述的OVD法沉积速率为50g/min~90g/min。