[发明专利]半导体装置与用于制造半导体装置的方法有效
| 申请号: | 201210271486.3 | 申请日: | 2010-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN102751295A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平;坂田淳一郎;三宅博之;桑原秀明;高桥辰也 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/45 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及半导体装置与用于制造半导体装置的方法。半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供,并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示装置,包括:在衬底之上的像素部分;以及在所述衬底之上的驱动器电路,所述驱动器电路包括:栅极电极层;在所述栅极电极层之上的栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层,所述氧化物半导体层与所述栅极电极层交叠;在所述氧化物半导体层之上的无机绝缘层;在所述无机绝缘层之上的有机绝缘层;以及在所述有机绝缘层之上的透光导电层,所述透光导电层与所述氧化物半导体层交叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210271486.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种建筑平台升降机构
- 下一篇:一种建筑用定位支架
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





