[发明专利]半导体装置与用于制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

在衬底之上的像素部分；以及

在所述衬底之上的驱动器电路，所述驱动器电路包括：

栅极电极层；

在所述栅极电极层之上的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层与所述栅极电极层交叠；

在所述氧化物半导体层之上的无机绝缘层；

在所述无机绝缘层之上的有机绝缘层；以及

在所述有机绝缘层之上的透光导电层，所述透光导电层与所述氧化物半导体层交叠。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中向所述透光导电层施加固定的电位。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中向所述透光导电层施加地电位。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中所述氧化物半导体层包含In、Ga、Zn和O。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中所述无机绝缘层是氮氧化硅膜。

6.如权利要求5所述的显示装置，其中所述驱动器电路还包括在所述无机绝缘层和所述有机绝缘层之间的氮化硅膜。

7.如权利要求1所述的显示装置，其中所述有机绝缘层包括丙烯酸。

8.如权利要求1所述的显示装置，其中所述像素部分包括电致发光元件。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中所述像素部分包括液晶元件。

10.一种显示装置，包括：

在衬底之上的像素部分的晶体管的栅极电极层；

在所述衬底之上的驱动器电路的晶体管的栅极电极层；

在所述像素部分的晶体管的栅极电极层和所述驱动器电路的晶体管的栅极电极层之上的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层之上的第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层与所述像素部分的晶体管的栅极电极层交叠；

在所述栅极绝缘层之上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述驱动器电路的晶体管的栅极电极层交叠；

在所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层之上的无机绝缘层；

在所述无机绝缘层之上的有机绝缘层；以及

在所述有机绝缘层之上的透光导电层，所述透光导电层与所述第二氧化物半导体层交叠；以及

在所述有机绝缘层之上的像素电极层，所述像素电极层电连接到所述第一氧化物半导体层，

其中所述像素电极层被配置为透射光。

11.如权利要求10所述的显示装置，其中向所述透光导电层施加固定的电位。

12.如权利要求10所述的显示装置，其中向所述透光导电层施加地电位。

13.如权利要求10所述的显示装置，其中所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层均包含In、Ga、Zn和O。

14.如权利要求10所述的显示装置，其中所述无机绝缘层是氮氧化硅膜。

15.如权利要求14所述的显示装置，还包括在所述无机绝缘层和所述有机绝缘层之间的氮化硅膜。

16.如权利要求10所述的显示装置，其中所述有机绝缘层包括丙烯酸。

17.如权利要求10所述的显示装置，还包括电致发光元件。

18.如权利要求10所述的显示装置，还包括液晶元件。

19.一种显示装置，包括：

在衬底之上的像素部分；以及

在所述衬底之上的驱动器电路，所述驱动器电路包括：

栅极电极层；

在所述栅极电极层之上的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层与所述栅极电极层交叠；

在所述氧化物半导体层之上的源极电极层；

在所述氧化物半导体层之上的漏极电极层；

在所述源极电极层和所述漏极电极层之上的无机绝缘层，所述无机绝缘层与所述源极电极层和所述漏极电极层之间的氧化物半导体层接触；

在所述无机绝缘层之上的有机绝缘层；

在所述有机绝缘层之上的透光导电层，所述透光导电层与所述氧化物半导体层交叠。

20.如权利要求19所述的显示装置，其中向所述透光导电层施加固定的电位。