[发明专利]半导体晶体衬底、半导体晶体衬底的制造方法、半导体器件的制造方法、电源装置和放大器有效
| 申请号： | 201210266834.8 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103000684A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 苫米地秀一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04;H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶体衬底、半导体晶体衬底的制造方法、半导体器件的制造方法、电源装置和放大器。所述半导体晶体衬底包括：衬底；以及通过在衬底的表面上施加氮化物来形成的保护层。所述保护层在所述衬底的外周部分处的周边区域中处于非晶态，以及所述保护层在位于所述保护层的所述周边区域内的所述保护层的内部区域中是结晶的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体 衬底 制造 方法 半导体器件 电源 装置 放大器 | ||
【主权项】：
一种半导体晶体衬底，包括：衬底；和通过在所述衬底的表面上施加氮化物形成的保护层，其中所述保护层在所述衬底的外周部分处的周边区域中处于非晶态，以及所述保护层的位于所述保护层的所述周边区域以内的所述保护层的内部区域中是结晶的。
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