[发明专利]半导体晶体衬底、半导体晶体衬底的制造方法、半导体器件的制造方法、电源装置和放大器

权利要求书

1.一种半导体晶体衬底，包括：

衬底；和

通过在所述衬底的表面上施加氮化物形成的保护层，其中

所述保护层在所述衬底的外周部分处的周边区域中处于非晶态，以及

所述保护层的位于所述保护层的所述周边区域以内的所述保护层的内部区域中是结晶的。

2.根据权利要求1所述的半导体晶体衬底，其中

使用包含AlN的材料形成所述保护层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体晶体衬底，其中

所述保护层的所述周边区域比所述保护层的所述内部区域包含更多的氧。

4.根据权利要求1或2所述的半导体晶体衬底，其中

所述衬底包含硅、蓝宝石、碳化硅和氮化镓中的任意一种。

5.根据权利要求1或2所述的半导体晶体衬底，其中

所述衬底是硅衬底，以及

所述衬底的所述表面是(111)表面。

6.一种制造半导体晶体衬底的方法，所述方法包括：

在衬底的表面上使用包含氮化物的材料形成保护层；

在所述保护层的位于所述衬底的外周部分处的周边区域中注入氧；以及

在所述周边区域中注入氧之后，在以下温度加热所述衬底：在所述保护层的除所述周边区域之外的内部区域中使所述保护层结晶的温度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

在周边区域中进行所述注入氧包括：

在所述保护层上在所述内部区域中形成掩模层；

在其上形成掩模层的表面上辐照氧等离子体或者在其上形成掩模层的所述表面中离子注入氧，以在所述保护层的所述周边区域中注入氧，以及

移除所述掩模层。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中

使用包含AlN的材料形成所述保护层。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其中

所述衬底包括硅、蓝宝石、碳化硅和氮化镓中的任意一种。

10.根据权利要求6或7所述的方法，其中

使用包含SiN的材料形成所述掩模层。

11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底的表面上使用包含氮化物的材料形成保护层；

在所述保护层的位于所述衬底的外周部分处的周边区域中注入氧；

在所述周边区域中进行所述注入氧之后，在以下温度加热所述衬底：在所述保护层的除所述周边区域之外的内部区域中使所述保护层结晶的温度；以及

在加热所述衬底之后，通过外延生长来形成缓冲层、电子传输层和电子供给层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中

在周边区域中进行所述注入氧包括：

在所述保护层上在所述内部区域中形成掩模层；

在其上形成所述掩模层的表面上辐照氧等离子体或者在其上形成所述掩模层的所述表面中离子注入氧，以在所述保护层的所述周边区域中注入氧，以及

移除所述掩模层。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中

使用包含AlN的材料形成所述保护层。

14.根据权利要求11或12所述的方法，还包括：

在通过外延生长形成所述缓冲层、所述电子传输层和所述电子供给层之后，在所述电子供给层上形成栅电极、源电极和漏电极。

15.根据权利要求11或12所述的方法，其中

使用包含SiN的材料形成所述掩模层。

16.根据权利要求11或12所述的方法，其中

通过MOCVD形成所述缓冲层、所述电子传输层和所述电子供给层。

17.根据权利要求11或12所述的方法，其中

使用包含AlGaN的材料形成所述缓冲层。

18.根据权利要求11或12所述的方法，其中

使用包含GaN的材料形成所述电子传输层。

19.根据权利要求11或12所述的方法，其中

使用包含AlGaN的材料形成所述电子供给层。