[发明专利]清洗多晶硅块的方法有效

专利信息
申请号: 201210265557.9 申请日: 2012-07-27
公开(公告)号: CN102897767A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 汉斯·沃赫纳;托马斯·盖勒;鲁道夫·克尔纳 申请(专利权)人: 瓦克化学股份公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 李丙林;刘书芝
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及清洗多晶硅块的方法。本发明涉及在酸性清洗浴中清洗多晶硅块的方法,其中所述清洗包括几个清洗循环,其中在每个清洗循环中消耗特定量的酸,其中使用计算机控制的计量系统的积分仪累加每个清洗循环中消耗的那些酸用量而得到清洗浴中酸的当前总耗量,其中,一旦达到清洗浴中对应于计量系统最佳计量的总酸耗量,则计量系统就将从储液池容器中排出的该最佳计量的未消耗酸供给清洗浴。本发明也涉及在含有酸进行循环的酸回路的酸性清洗浴中清洗多晶硅块的方法,其中以升计的循环酸量与清洗浴中以kg计存在的多晶硅块质量之比大于10。本发明能够确保以更精确的计量实现操作稳定性,经济上也比已知方法更为可行。
搜索关键词: 清洗 多晶 方法
【主权项】:
一种在酸性清洗浴中清洗多晶硅块的方法,其中所述清洗包括几个清洗循环,其中在每个清洗循环中消耗特定量的酸,其中计算机控制的计量系统的积分仪用于累加每个清洗循环中消耗的那些酸用量而得到清洗浴中酸的当前总耗量,其中,一旦达到所述清洗浴中对应于计量系统最佳计量的总酸耗量,则所述计量系统就将从储液池容器中抽出的这个最佳计量的未消耗酸供给所述清洗浴。
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