[发明专利]清洗多晶硅块的方法

权利要求书

1.一种在酸性清洗浴中清洗多晶硅块的方法，其中所述清洗包括几个清洗循环，其中在每个清洗循环中消耗特定量的酸，其中计算机控制的计量系统的积分仪用于累加每个清洗循环中消耗的那些酸用量而得到清洗浴中酸的当前总耗量，其中，一旦达到所述清洗浴中对应于计量系统最佳计量的总酸耗量，则所述计量系统就将从储液池容器中抽出的这个最佳计量的未消耗酸供给所述清洗浴。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述计量系统包含计量泵或计量秤。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述清洗浴包含一种或多种选自由HF、HCl、H₂O₂和HNO₃组成组中的酸。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的方法，其中每清洗循环的酸耗量记录在所述计算机控制的计量系统中作为装置参数。

5.根据权利要求4中所述的方法，其中不同尺寸级别的所述硅块进行清洗，并且对于每种这种尺寸级别，每清洗循环的酸耗量记录在所述计算机控制的计量系统中作为装置参数。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的方法，其中所述清洗浴包含至少两种酸而为每种酸提供独立的计算机控制计量系统，并且这用未消耗的酸供给所述清洗浴。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的方法，其中清洗浴中以升计的循环酸量与清洗浴中以kg计存在的多晶硅块质量之比大于10。

8.一种在包括酸进行循环的酸回路的酸性清洗浴中清洗多晶硅块的方法，其中以升计的循环酸量与清洗浴中以kg计存在的多晶硅块质量之比大于10。