[发明专利]在InP衬底上制备高K栅介质薄膜和MIS电容的方法无效
| 申请号： | 201210265019.X | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102760657A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 程新红;贾婷婷;曹铎;徐大伟;王中健;夏超;郑理;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在InP衬底上制备高k栅介质薄膜和MIS电容的方法，该方法工艺简单，在利用PEALD工艺沉积高k栅介质薄膜之前通过等离子体原位处理对InP衬底进行钝化，改善了高k栅介质与InP衬底之间的界面特性，降低了费米能级钉扎效应的影响，并且在高k栅介质薄膜形成后利用氧等离子体原位后处理提高了高k薄膜的致密度和薄膜质量。同时，本发明在InP衬底上制备稳定的性质优良的高k栅介质薄膜基础上，并成功制作MIS电容结构，为后面验证高k栅介质薄膜的电学性能提供了基础。 | ||
| 搜索关键词： | inp 衬底 制备 介质 薄膜 mis 电容 方法 | ||
【主权项】：
一种在InP衬底上制备高K栅介质薄膜的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一双面抛光的InP晶片作为衬底，对其进行清洗后放入PEALD反应腔内；2）以Ar气作为载气，以NH3或N2作为反应气体，利用等离子体工艺对InP衬底正面进行原位氮化处理；3）利用PEALD工艺在所述InP衬底正面沉积高K栅介质薄膜；4）利用氧等离子体工艺对所述高K栅介质薄膜进行原位后处理；5）将形成的所述高K栅介质薄膜的样品置入退火炉中进行N2气氛退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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