[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210260760.7 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103579295A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;秦长亮;马小龙;徐秋霞;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：多个鳍片，位于衬底上并且沿第一方向延伸；多个栅极堆叠结构，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；多个应力层，位于栅极堆叠结构两侧的鳍片中，并且在应力层中具有多个源漏区；多个沟道区，位于栅极堆叠结构下方的鳍片中；其特征在于，应力层在鳍片中具有连通部分并且沟道区包围该连通部分。依照本发明的FinFET及其制造方法，利用高应力硅化合金的立体源漏在硅鳍片内部融合贯通，形成沿硅鳍片表面的围绕立体源漏贯通区的环形立体应变沟道区，全方位增大了沟道区应力，有效提高了载流子迁移率，从而有效提高了器件驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个鳍片，位于衬底上并且沿第一方向延伸；多个栅极堆叠结构，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；多个应力层，位于栅极堆叠结构两侧的鳍片中，并且在应力层中具有多个源漏区；多个沟道区，位于栅极堆叠结构下方的鳍片中；其特征在于，应力层在鳍片中具有连通部分并且沟道区包围该连通部分。
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