[发明专利]一种晶体管和晶体管阵列有效
| 申请号： | 201210259427.4 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103579490B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王中林 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L27/20 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;南毅宁 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管，包括压电体、第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和第二电极相对设置在所述压电体的两端，所述第一电极和/或第二电极用于对所述压电体施加应变或应力；所述压电体的材料在所述应变或应力作用下产生压电效应。相应地，本发明还提供一种晶体管阵列。在压电体的一端的电极施加应变、应力或者压强使压电体发生相应的形变，产生的压电电势可以对压电体材料和电极材料之间的界面势垒进行有效地调控，起到与场效应晶体管中栅极电压相似的作用。本发明的晶体管或晶体管阵列，可以应用在微纳机电系统、纳米机器人、人机交互界面和可弯曲传感器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括压电体、第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和第二电极相对设置在所述压电体的两端，所述第二电极用于对所述压电体施加应变或应力；所述压电体的材料在所述应变或应力作用下产生压电效应；所述晶体管还包括封装层，所述压电体和所述第一电极被封装在所述封装层中，以及所述第二电极未被封装在所述封装层中，其中所述封装层采用弹性材料。
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