[发明专利]一种晶体管和晶体管阵列

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括压电体、第一电极和第二电极，其中，

所述第一电极和第二电极相对设置在所述压电体的两端，所述第二电极用于对所述压电体施加应变或应力；

所述压电体的材料在所述应变或应力作用下产生压电效应；

所述晶体管还包括封装层，所述压电体和所述第一电极被封装在所述封装层中，以及所述第二电极未被封装在所述封装层中，其中所述封装层采用弹性材料。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述压电体为压电薄膜或一维压电结构，所述第一电极和第二电极的连线平行于所述压电薄膜的表面或一维压电材料。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述压电体为一个或多个平行排列的一维压电结构，所述第一电极和第二电极相对设置在所述一维压电结构的两端。

4.根据权利要求2或3所述的晶体管，其特征在于，所述一维压电结构包括压电纳米线、纳米丝、纳米棒、纳米柱或纳米带。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管设置在基底上，所述第一电极和第二电极的连线平行于所述基底。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述压电体为多个平行排列的一维压电结构，所述一维压电结构的轴线平行于所述基底表面。

7.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述压电体为压电薄膜，所述压电薄膜平行于所述基底，或者与所述基底之间有一夹角。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管设置在基底上，所述第一电极和第二电极的连线垂直于所述基底。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述压电体为一个或多个平行排列的一维压电结构，所述一维压电结构的轴线垂直于所述基底表面。

10.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述压电体为压电薄膜，所述压电薄膜表面垂直于所述基底表面。

11.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述压电体的材料为纤锌矿结构的材料、闪锌矿结构的材料、铌酸锂结构的材料或具有半导体性能的材料。

12.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述压电体的材料为ZnO、GaN、CdS、InN、InGaN、CdTe、CdSe或ZnSnO₃。

13.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一电极和/或第二电极为选自铟锡金属氧化物、石墨烯或银纳米线膜涂层中的一种，或者金、银、铂、铝、镍、铜、钛、烙、硒或其合金中的一种。

14.根据权利要求5或8所述的晶体管，其特征在于，所述基底为硅、氮化镓、导电金属板、导电陶瓷或镀有金属电极的高分子聚合物材料。

15.一种晶体管阵列，其特征在于，在基底上包括多个晶体管单元，每个所述晶体管单元包括压电体、第一电极和第二电极，其中，

所述第一电极和第二电极相对设置在所述压电体的两端，所述第二电极用于对所述压电体施加应变或应力；

所述压电体的材料在所述应变或应力作用下产生压电效应；以及

所述晶体管单元还包括封装层，所述压电体和所述第一电极被封装在所述封装层中，以及所述第二电极未被封装在所述封装层中，其中所述封装层采用弹性材料。

16.根据权利要求15所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管单元的第一电极和第二电极的连线平行或垂直于所述基底。