[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210252482.0 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102903737A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 竹内克彦;谷口理 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：沟道层，由化合物半导体制成；势垒层，设置在沟道层上方且由这样的化合物半导体制成，在与沟道层的结中该化合物半导体在载流子行进侧的能带比沟道层中在载流子行进侧的能带远离沟道层中的本征费米能级；低电阻区域，设置在势垒层的表面层中，且通过包含杂质而具有比周围部分低的电阻；源极电极和漏极电极，在夹置低电阻区域的位置处连接到势垒层；栅极绝缘层，设置在低电阻区域上；以及栅极电极，隔着栅极绝缘层设置在低电阻区域上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：沟道层，由化合物半导体制成；势垒层，设置在所述沟道层上方且由这样的化合物半导体制成，在与所述沟道层的结中该化合物半导体在载流子行进侧的能带比所述沟道层中在载流子行进侧的能带远离所述沟道层中的本征费米能级；低电阻区域，设置在所述势垒层的表面层中，且通过包含杂质而具有比周围部分低的电阻；源极电极和漏极电极，在夹置所述低电阻区域的位置处连接到所述势垒层；栅极绝缘层，设置在所述低电阻区域上；以及栅极电极，隔着所述栅极绝缘层设置在所述低电阻区域上方。
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