[发明专利]一种高效多结太阳能电池的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210249856.3 申请日: 2012-07-19
公开(公告)号: CN102751389A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 毕京锋;林桂江;刘建庆;丁杰 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公布了一种高效多结太阳能电池的制备方法,其具体步骤包括:提供一Ge衬底,用于半导体外延生长;以Ge衬底为基区,在所述Ge衬底上生长发射区,构成第一子电池,其具有一第一带隙;采用MBE生长方法,在所述第一子电池上方形成第二子电池,使其具有大于第一带隙的一第二带隙,且晶格与第一子电池晶格匹配;采用MOCVD生长方法,在所述第二子电池上方形成第三子电池,使其具有大于第二带隙的第三带隙,并且与第一、二子电池晶格匹配;采用MOCVD生长方法,在所述第三子电池上方形成第四子电池,使其具有大于第三带隙的第四带隙,其晶格常数与第一、二、三子电池匹配。本发明还包括将MOCVD和MBE结合生长的其它多结(四结及其以上)太阳能电池的制备。运用此方法能够制备高质量、晶格匹配、电流匹配的高效多结太阳能电池。
搜索关键词: 一种 高效 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种高效多结太阳能电池的制备方法,其具体步骤包括:(1)提供一Ge衬底,用于半导体外延生长;(2)以Ge衬底为基区,在所述Ge衬底上生长发射区,构成第一子电池,其具有一第一带隙;(3)采用MBE生长方法,在所述第一子电池上方形成第二子电池,使其具有大于第一带隙的一第二带隙,且晶格与第一子电池晶格匹配;(4)采用MOCVD生长方法,在所述第二子电池上方形成第三子电池,使其具有大于第二带隙的第三带隙,并且与第一、二子电池晶格匹配;(5)采用MOCVD生长方法,在所述第三子电池上方形成第四子电池,使其具有大于第三带隙的第四带隙,其晶格常数与第一、二、三子电池匹配。
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