[发明专利]氟化铈闪烁陶瓷的热压烧结制备方法及其制备的氟化铈闪烁陶瓷有效
| 申请号： | 201210249353.6 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103570355A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李伟;寇华敏;陈敏;石云;姜本学;李江;刘文斌;潘裕柏;冯锡琪;郭景坤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/50 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氟化铈闪烁陶瓷的热压烧结制备方法及其制备的氟化铈闪烁陶瓷，所述方法包括预压工序：在规定压力下对置于热压模具中的高纯CeF3粉体进行预压，所述高纯CeF3粉体的纯度为99%以上；升温工序：卸去预压压力后，抽真空使真空度达到<5×10-3Pa，然后升温至800～1000℃；以及热压烧结工序：保持800～1000℃下，加压至100～300MPa，保持该温度和压力0.5～2.5h。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 闪烁 陶瓷 热压 烧结 制备 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种CeF3闪烁陶瓷的热压烧结制备方法，包括：预压工序：在规定压力下对置于热压模具中的高纯CeF3粉体进行预压，所述高纯CeF3粉体的纯度为99%以上；升温工序：卸去预压压力后，抽真空使真空度达到<5×10‑3Pa，然后升温至800～1000℃；以及热压烧结工序：保持800～1000℃下，加压至100～300MPa，保持该温度和压力0.5～2.5h。
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