[发明专利]氟化铈闪烁陶瓷的热压烧结制备方法及其制备的氟化铈闪烁陶瓷有效
申请号: | 201210249353.6 | 申请日: | 2012-07-18 |
公开(公告)号: | CN103570355A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 李伟;寇华敏;陈敏;石云;姜本学;李江;刘文斌;潘裕柏;冯锡琪;郭景坤 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C04B35/50 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氟化 闪烁 陶瓷 热压 烧结 制备 方法 及其 | ||
1.一种CeF3闪烁陶瓷的热压烧结制备方法,包括:
预压工序:在规定压力下对置于热压模具中的高纯CeF3粉体进行预压,所述高纯CeF3粉体的纯度为99%以上;
升温工序:卸去预压压力后,抽真空使真空度达到<5×10-3Pa,然后升温至800~1000℃;以及
热压烧结工序:保持800~1000℃下,加压至100~300MPa,保持该温度和压力0.5~2.5h。
2.根据权利要求1所述的CeF3闪烁陶瓷的热压烧结制备方法,其特征在于,在所述热压烧结工序中,以5~10MPa∕min的加压速率加压至100~300MPa。
3.根据权利要求1或2所述的CeF3闪烁陶瓷的热压烧结制备方法,其特征在于,在所述升温工序中,以5~10℃∕min的升温速率升温至800~1000℃。
4.根据权利要求1或2所述的CeF3闪烁陶瓷的热压烧结制备方法,其特征在于,在所述预压工序中,在所述规定压力下保压30~60s,所述规定压力为10~30MPa。
5.根据权利要求1或2所述的CeF3闪烁陶瓷的热压烧结制备方法,其特征在于,还包括,在所述预压工序前对所述高纯CeF3粉体进行球磨处理。
6.根据权利要求5所述的CeF3闪烁陶瓷的热压烧结制备方法,其特征在于,所述球磨处理采用以酒精为介质的湿球磨法,其中,球磨转速为80~200rmp∕min,且球磨时间为2~12h。
7.根据权利要求5所述的CeF3闪烁陶瓷的热压烧结制备方法,其特征在于,还包括,将球磨得到的浆料在60~80℃下干燥0.5~5h后进行过筛处理。
8.根据权利要求7所述的CeF3闪烁陶瓷的热压烧结制备方法,其特征在于,所述过筛处理采用200目筛。
9.根据权利要求1或2所述的CeF3闪烁陶瓷的热压烧结制备方法,其特征在于,所述热压模具为可耐受300MPa的合金模具。
10.一种根据权利要求1~9中任一项所述的热压烧结制备方法制备的CeF3闪烁陶瓷,其特征在于,所述CeF3闪烁陶瓷的透过率在可见光范围达到10~22%。
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