[发明专利]InGaN/Si双结太阳能电池

摘要

本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池，包括n-Si衬底，其上面依次有AlN成核层、GaN缓冲层、n-InxGa1-xN层、p-InxGa1-xN层、正电极，其特点是：成核层和衬底之间有p-Si层，与n-Si衬底形成Si底电池；p-InxGa1-xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层；负电极蒸镀于n-Si衬底下面。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间形成了p-Si层，与n-Si衬底形成了Si底电池，易于制备、电池的总转换效率高；通过蒸镀半透明电流扩展层，抗辐射能力强，电池的使用寿命长；负电极蒸镀于n-Si衬底下面，简化了工艺，降低了成本，还可当反射镜使用，进一步提高了电池的总转换效率。

主权项

一种InGaN/Si双结太阳能电池，包括n‑Si衬底，n‑Si衬底上面自下至上依次有AlN成核层、GaN缓冲层、Si掺杂的n‑InxGa1‑xN层、Mg掺杂的p‑InxGa1‑xN层和正电极负电极，其特征在于：所述AlN成核层和n‑Si衬底之间制有p‑Si层，p‑Si层与n‑Si衬底形成Si底电池；所述Mg掺杂的p‑InxGa1‑xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层；负电极蒸镀于n‑Si衬底的下面。