[发明专利]InGaN/Si双结太阳能电池有效
| 申请号： | 201210246805.5 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102751368A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张启明;王帅;高鹏;王保民;刘如彬;孙强;穆杰 | 申请（专利权）人： | 天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ingan si 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种InGaN/Si双结太阳能电池，包括n-Si衬底，n-Si衬底上面自下至上依次有AlN成核层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-InxGa1-xN层、Mg掺杂的p-InxGa1-xN层和正电极负电极，其特征在于：所述AlN成核层和n-Si衬底之间制有p-Si层，p-Si层与n-Si衬底形成Si底电池；所述Mg掺杂的p-InxGa1-xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层；负电极蒸镀于n-Si衬底的下面。
2.根据权利要求1所述的InGaN/Si双结太阳能电池，其特征在于：所述的半透明电流扩展层为ITO薄膜；半透明电流扩展层上光刻出正电极区域，半透明电流扩展层的其余部分被光刻胶保护形成保护区；所述正电极蒸镀于正电极区域。
3.根据权利要求1或2所述的InGaN/Si双结太阳能电池，其特征在于：所述正电极为自下至上蒸镀成一体、厚度为20nm/60nm的Ni/Au电极。
4.根据权利要求1所述的InGaN/Si双结太阳能电池，其特征在于：所述负电极为自上至下蒸镀成一体、厚度为15nm/15nm/400nm的Ti/Pd/Ag电极。
5.根据权利要求2所述的InGaN/Si双结太阳能电池，其特征在于：所述正电极区域的深度为50-100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
