[发明专利]高生长速率的P型GaN结构LED制造方法

摘要

本发明公开了一种高生长速率的P型GaN结构LED的制造方法，所述方法包括以下步骤：在反应室中加热衬底，然后降温生长低温GaN缓冲层，然后升温生长高温GaN缓冲层；在所述缓冲层上，生长N型GaN层；在N型GaN层上生长2至10个InGaN/GaN量子阱，接着生长3至15个InGaN/GaN量子阱；在量子阱层上生长P型GaN层。本发明通过借助高生长速率生长P型GaN层，减少生长时间，其LED结构能够减少In的挥发，并且减少对临近周期InGaN的破坏，从而有效减少对发光层多量子阱结构的伤害，提高量子阱晶体质量，提高出光效率。

主权项

一种高生长速率的P型GaN结构LED的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将衬底在氢气气氛里进行退火，清洁所述衬底表面，温度控制在1030‑1200℃之间，然后进行氮化处理；将温度下降到500‑650℃之间，生长20‑30 nm厚的低温GaN缓冲层，此生长过程中，生长压力控制在300‑760 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在500‑3200之间；所述低温GaN缓冲层生长结束后，停止通入TMGa，将衬底温度升高至900‑1200℃之间，对所述低温GaN缓冲层原位进行热退火处理，退火时间在5‑30min之间；退火之后，将温度调节至1000‑1200℃之间，外延生长厚度为0.5‑2µm间的高温GaN缓冲层，生长压力在100‑500 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300‑3000之间；所述高温GaN缓冲层生长结束后，生长一层掺杂浓度稳定的N型GaN层，厚度在1.2‑4.2µm，生长温度在1000‑1200℃之间，压力在100‑600 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300‑3000之间；由2‑10个周期的InxGa1‑XN(0.04

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