[发明专利]升降装置、半导体芯片生产金属刻蚀设备及方法无效
| 申请号： | 201210239581.5 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545234A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 夏志刚;李顺义;张骥 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种升降装置，其主要包括一控制单元，用于发送控制信号和接收反馈信号；一升降机构，包括电磁阀和气缸，用于接收所述控制单元发出的控制信号，完成升降动作；在所述气缸的侧面两端位置分别安装有限位传感器，当所述气缸中的活塞运动到限定位置时，向所述控制单元发送反馈信号。本发明所述的升降装置能有效的消除步进马达可能发生的丢步和丝杆磨损带来的间隙误差，使硅片准确达到工艺位置和搬送位置并保持其唯一性并且能消除由于为驱动步进马达而使用较大驱动电流导致的发热，电线老化，甚至火灾的隐患。另外本发明还公开了运用该升降装置的半导体芯片生产金属刻蚀设备及运用该刻蚀设备进行硅片工艺处理的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 升降 装置 半导体 芯片 生产 金属 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种升降装置，包括：一控制单元，用于发送控制信号和接收反馈信号；一升降机构，包括电磁阀和气缸，用于接收所述控制单元发出的控制信号，完成升降动作；其特征在于：在所述气缸的侧面两端位置分别安装有限位传感器，当所述气缸中的活塞运动到限定位置时，向所述控制单元发送反馈信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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