[发明专利]升降装置、半导体芯片生产金属刻蚀设备及方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造装备，特别是涉及一种升降装置；本发明还涉及一种运用该升降装置的半导体芯片生产金属刻蚀设备及运用该设备的进行硅片工艺处理的方法。

背景技术

在半导体芯片生产金属刻蚀设备等离子去胶反应腔体中,为了使腔体内的硅片位置升降，达到搬送硅片的高度或工艺位置的高度，硅片的升降装置的运行必须准确稳定。

现有的升降装置结构是通过主机信号指令告诉步进马达驱动器，由驱动器发出信号使步进马达转动一定的步数，带动丝杆转动，使丝杆上的滑块升降，使相连的腔体内的托盘升降来改变硅片的高度位置。

采用上述升降装置结构的缺点在于为使步进马达动作，驱动器必须发出连续的脉冲信号，而信号在传输过程容易丢失使马达丢步，导致硅片升降位置不到位，最终引起工艺处理失败或硅片搬送时碎片。并且为驱动步进马达，需要较大电流，所以马达驱动器常常发热，电源线与接头处时有烧焦情况发生。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种升降装置,能提高升降机构的稳定性，消除升降机构运行位置不到位导致的工艺处理失败或硅片搬运时碎片的情况发生。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种升降装置，包括：

一控制单元，用于发送控制信号和接收反馈信号。

一升降机构，包括电磁阀和气缸，用于接收所述控制单元发出的控制信号，完成升降动作。

在所述气缸的侧面两端位置分别安装有限位传感器，当所述气缸中的活塞运动到限定位置时，向所述控制单元发送反馈信号。

一种半导体芯片生产金属刻蚀设备，包括：

一等离子去胶腔体，包括一托盘，用于对硅片进行工艺处理。

一机械手，用于往所述托盘上下硅片。

一控制单元，用于发送控制信号和接收反馈信号。

一升降机构，包括电磁阀和气缸，用于接收所述控制单元发出的控制信号，完成升降动作。

一联轴器，用于连接所述托盘于所述气缸的活塞杆。

在所述气缸的侧面两端位置分别安装有限位传感器，当所述气缸中的活塞运动到限定位置时，向所述控制单元发送反馈信号。

进一步的，所述联轴器为万向联轴器。

进一步的，所述的半导体芯片生产金属刻蚀设备进行硅片工艺处理的方法，包括：

步骤1、控制气缸中的活塞向下动作，当下限位传感器检测到活塞已经动作到位后，控制机械手伸进等离子去胶反应腔体。

步骤2、机械手到位后，控制气缸中的活塞向上动作，当上限位传感器检测到活塞已经动作到位后，控制机械手撤回。

步骤3、机械手到位后，控制气缸中的活塞向下动作，当下限位传感器检测到活塞已经动作到位后，开始对硅片进行工艺处理。

步骤4、工艺处理完成后，控制气缸中的活塞向上动作，当上限位传感器检测到活塞已经动作到位后，控制机械手伸进等离子去胶反应腔体。

步骤5、机械手到位后，控制气缸中的活塞向下动作，当下限位传感器检测到活塞已经动作到位后，控制机械手撤回。

步骤6、从步骤1开始处理下一枚硅片。

本发明的有益效果为：

1、提高升降装置动作可靠性，消除步进马达可能发生的丢步和丝杆磨损带来的间隙误差，使硅片准确达到工艺位置和搬送位置并保持其唯一性。

2、消除由于为驱动步进马达而使用较大驱动电流导致的发热，电线老化，甚至火灾的隐患。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:

图1是本发明升降装置示意图；

图2是本发明半导体芯片生产金属刻蚀设备示意图。

主要元件符号说明如下：

控制单元1             电磁阀2

气缸3                 活塞31

活塞杆32              上限位传感器41

下限位传感器42        联动轴5

机械手6               等离子去胶反应腔体7

托盘71                硅片8

具体实施方式

为使贵审查员对本发明的目的、特征及功效能够有更进一步的了解与认识，以下配合附图详述如后。