[发明专利]一种晶圆级半导体器件及其封装方法

摘要

本发明涉及一种晶圆级半导体器件及其封装方法，半导体器件中一个第二芯片叠设在一个第一芯片上，并使第二芯片背面的部分电极导电粘接在第一芯片正面的部分电极上，使这些电极之间形成电性连接；另外，在封装时可以使两个芯片正面的锡球外露，简化操作，或者将锡球全包封后再研磨暴露，以进一步减小半导体器件的高度，有效减少器件尺寸。本发明中通过在晶圆进行背面金属化处理，能够将第一芯片的背面暴露出来，从而有效改善器件的散热效果。

主权项

一种晶圆级半导体器件的封装方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，设置一个第一晶圆，在所述第一晶圆上形成有若干个第一芯片，所述第一芯片是一个MOSFET芯片，并且，在任意一个所述第一芯片的正面形成有若干个第一电极和若干个第二电极；所述第一芯片的若干个第一电极，包含该第一芯片的栅极、源极、漏极中的任意一种电极或任意几种电极；所述第一芯片的若干个第二电极，包含该第一芯片的源极、漏极中的任意一种电极；步骤2，设置一个第二晶圆，在所述第二晶圆上形成有若干个第二芯片，所述第二芯片是一个MOSFET芯片，并且，在任意一个第二芯片的正面形成有若干个第三电极，而在该第二芯片的背面形成有若干个第四电极；所述第二芯片的若干个第四电极，包含该第二芯片的源极、漏极中的任意一种电极；所述第四电极与第二电极是不同种类的电极；对所述第二晶圆进行切割，使得所有的第二芯片被分离成各个单颗的芯片；步骤3，将每个单颗的第二芯片叠设并粘接到第一晶圆上对应的一个第一芯片上，并且使得每个第二芯片背面的第四电极与第一芯片正面的第二电极通过导电粘接形成电性连接；步骤4中，对粘接了第二芯片的第一晶圆进行模压封装后，切割第一晶圆形成各个独立的半导体器件，该半导体器件中第一芯片的背面能够暴露设置。