[发明专利]一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池无效
| 申请号: | 201210234642.9 | 申请日: | 2012-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN102738258A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
| 发明(设计)人: | 魏青竹;陆俊宇;胡党平;钱峰 | 申请(专利权)人: | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/06 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215542 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池,包括有电池本体,该电池本体为硅片层,其特点是:硅片层底部分布有正电极层,在硅片层顶部设置有扩散掺杂混合层,且扩散掺杂混合层上分布有背电极。由此,本成品硅片扩散方阻较低,方阻均匀性好。同时,本发明在不影响金半接触的前提下提高非金属覆盖区域表面钝化质量,降低表面和发射层复合,提高短波光子响应,进而提升电池性能。再者,本发明整体需要应用保护掩膜,从而节省耗材、设备等投入,易于推广。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 激光 掺杂 选择性 发射极 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池,包括有电池本体,所述的电池本体为硅片层,其特征在于:所述的硅片层底部分布有正电极层,所述的硅片层顶部设置有扩散掺杂混合层,所述的扩散掺杂混合层上分布有背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





