[发明专利]一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池无效
| 申请号： | 201210234642.9 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102738258A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 魏青竹;陆俊宇;胡党平;钱峰 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215542 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 掺杂 选择性 发射极 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池，包括有电池本体，所述的电池本体为硅片层，其特征在于：所述的硅片层底部分布有正电极层，所述的硅片层顶部设置有扩散掺杂混合层，所述的扩散掺杂混合层上分布有背电极。
2.根据权利要求1所述的一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池，其特征在于：所述的扩散掺杂混合层包括有扩散层，所述的扩散层上分布有内凹区域，所述的内凹区域为高浓度掺杂层。
3.根据权利要求2所述的一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池，其特征在于：所述扩散层的厚度为300-400um。
4.根据权利要求1所述的一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池，其特征在于：所述的硅片层厚度为700-900um。
5.根据权利要求1所述的一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池，其特征在于：所述的扩散掺杂混合层顶部分布有SiNx层。
6.根据权利要求5所述的一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池，其特征在于：所述的SiNx层厚度为70-80nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
