[发明专利]半导体工艺、半导体结构及其封装构造

摘要

本发明是有关于一种半导体工艺、半导体结构及其封装构造，该半导体工艺包含提供一个载体，该载体具有金属层，该金属层具有多个衬底区及多个外侧区；形成第一光刻胶层；形成多个承载部；移除该第一光刻胶层以显露出所述承载部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区；形成第二光刻胶层，该第二光刻胶层显露所述承载面的所述第一区；形成多个接合部，且所述接合部覆盖所述承载面的所述第一区，以使各该接合部连接各该承载部且形成钮扣状凸块(snap bump)；移除该第二光刻胶层以显露出所述钮扣状凸块；移除该金属层的所述外侧区，以使所述衬底区形成多个凸块下金属层。

主权项

一种半导体工艺,其特征在于其至少包含下列步骤：提供一个载体，该载体具有表面及形成于该表面的金属层，该金属层具有多个衬底区及多个位于衬底区外侧的外侧区；形成第一光刻胶层在该金属层，该第一光刻胶层具有多个第一开口；形成多个承载部在所述第一开口；移除该第一光刻胶层以显露出所述承载部，各该承载部具有承载面,各该承载面具有第一区及第二区；形成第二光刻胶层在该金属层，且该第二光刻胶层覆盖所述承载部,该第二光刻胶层具有多个第二开口且所述第二开口显露所述承载面的所述第一区；形成多个接合部在所述第二开口，且所述接合部覆盖所述承载面的所述第一区，以使各该接合部连接各该承载部且形成钮扣状凸块；移除该第二光刻胶层以显露出所述钮扣状凸块；以及移除该金属层的所述外侧区，以使该金属层的所述衬底区形成多个凸块下金属层。